И Н Т Е Г Р А Л Ь Н А Я О П Т И К А
15
Из уравнения (1.8) следует, что
)
() (
) (
2
2
2
1
2
0
2
0
2
2
2
0
2
1 2
0
2
n n hk
k
k
k
k
hk R
−
=
−
=
,
то есть
ω
~
R
, поэтому па-
раметр
R
можно назвать
нормированной частотой.
Дисперсионные
ха-
рактеристики волн слабона-
правляющей пленки приве-
дены на рис. 1.9, где
B
– нормированная посто-
янная распространения:
2
0
2
2
2
1
2
0
2
2
2
)
(
k n n
kn
B
−
−β
=
.
(1.9)
Когда
1
=
B
, из формулы
(1.9) получаем
2
0
2
2
2 2
0
2
2
2
0
2
1
kn
kn kn
−β= −
.
Таким образом, при
∞→ω
(
∞→
R
) имеем
01
kn
→β
;
1
ф
~ /
ε →
c v
,
где
1
~
ε
– относительная диэлектрическая проницаемость материала пленки.
Поперечное распределение электрического поля для
H
-волн и магнитного
для
E
-волн представлено на рис. 1.10.
Рис. 1.10
0
n
1
n
2
n
0 0
;
EH
0
n
1
n
2
n
1 1
;
EH
0
n
1
n
2
n
2 2
;
EH
При
2
)1 2(
π
+ =
m R
m
имеет место отсечка. При отсечке параметр попе-
речного затухания принимает значение, близкое к нулю (
0
→
v
). В результате
на частоте, соответствующей отсечке, поле пленочной волны проникает беско-
нечно далеко вглубь подложки.
При отсечке
0
→
B
. В результате, как следует из (1.9),
02
kn
→β
, то есть
волны на частоте отсечки распространяются со скоростью света в среде
подложки.
Рис. 1.9
0,5
B
R
0
2
π
π
π
2
3
π
2
π
2
5
1,0
0
H
0
E
1
H
1
E
2
H
2
E