ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ И ОБОРУДОВАНИЕ
ДЛЯ СПЕЦИАЛЬНЫХ ВИДОВ ЛИТЬЯ
70
Бифилярная схема, по сравнению с однофазной обеспечивает
снижение реактивного сопротивления короткой сети печи и повышает
коэффициент мощности с 0,6 – 0,8 до 0,92
−
0,98. Трехфазная схема
позволяет равномерно загрузить все обмотки трасформатора.
Конструктивно – технологические схемы взаимного расположения
кристаллизатора и электрода при отливке методом ЭШП заготовок
приведены на рис.13.4.
Рис. 13.4. Основные принципиальные схемы
формирования литой заготовки при ЭШП
с заполнением неподвижного кристаллизатора(
а
),
с вытягиванием слитка(
б
) и с перемещением кристаллизатора(
в
).
При ЭШП наряду с классической схемой получила распространение
технология,
предусматривающая
относительное
перемещение
кристаллизатора и слитка, позволяющая получать более длинные слитки и
повышать выход годного металла. При этом высота кристаллизатора
существенно уменьшается. Однако воплощение такого варианта ЭШП
требует более сложного оборудования и средств контроля уровня
металлической ванны. При этом возможны проливы шлака и металла в зазор
между кристаллизатором и слитком. Постоянство уровня шлаковой ванны в
кристаллизаторе усиливает эрозию его внутренней поверхности и
уменьшает продолжительность эксплуатации. Хуже в этом случае и
качество поверхности слитка. Поэтому способ ЭШП с заполнением
кристаллизатора проще, надежнее и безопаснее в работе.
Принципиальные схемы ЭШП и ЭШЛ подобны. Основное различие
этих процессов состоит в использовании при ЭШЛ кристаллизаторов,
внутренняя полость которых имеет переменное сечение по внешней форме
отливки. В зависимости от степени сложности отливки применяются
несколько схем ЭШЛ(рис.13.5 и 13.6).
