106
На основании полученных данных строят график зависимости
N=N(d)
и
с его помощью определяют критическое значение
d
кр
.
4.13.7. Контрольные вопросы
1. Какие основные вида потерь испытывают в материальной среде заряжен-
ные частицы?
2. Почему радиационное торможение более существенно для легких частиц?
3. Что такое радиационная длина? Каков её физический смысл и от чего она
зависит?
3. Какая энергия заряженной частицы называется критической и от чего она
зависит?
4. Какие условия необходимы для рождения электронно-позитронной пары?
6. Какую энергию должен иметь γ-квант для рождения электронно-
позитронной пары в поле ядра? в поле электрона?
7. Может ли происходить аннигиляция электронно-позитронной пары с
образованием только одного γ-кванта?
8. Каков механизм образования каскадного ливня?
9. Какие условия необходимы для его возникновения?
4.14. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 14.
ОБРАТНОЕ РАССЕЯНИЕ β-ИЗЛУЧЕНИЯ
Введение
При попадании потока электронов на поверхность какого-либо мате-
риала часть частиц может отклониться от своего первоначального направле-
ния на угол, превышающий 90°. Этот эффект называется обратным рассея-
нием электронов.
Обратное рассеяние электронов используется для решения ряда при-
кладных задач, например для определения толщины покрытий. Этот же эф-
фект может быть и источником методических погрешностей. Его следует
учитывать при проведении физических экспериментов с электронными пуч-
ками. Например, при вылете бета-частиц из радиоактивного источника рас-
пределение бета-частиц искажается из-за их рассеяния в материале подлож-
ки, в результате чего увеличивается число частиц, вылетающих в сторону
счетчика и, следовательно, увеличивается скорость счета. Другой пример:
при измерении β-спектров полупроводниковыми или сцинтилляционными
детекторами из-за эффекта обратного рассеяния на поверхности детектора
происходит обогащение низкоэнергетической части спектра, что может при-
вести к искажению графика Ферми-Кюри.
Введем величину, характеризующую явление обратного рассеяние – ко-
эффициент обратного рассеяния
0
обр
N
q
N
=
,
N
0
- число частиц, падающих нор-
мально на поверхность материала,
N
обр
- число частиц, рассеянных материа-
лом на угол θ>90°. Коэффициент обратного рассеяния является функцией
атомного номера (
Z
) отражателя, толщины отражателя (
d
) энергии падаю-
