108
Величина
q
max
зависит от атомного
номера Z и слабо зависит от плотности
электронов в веществе. Из рис. 69 вид-
но, что
max
max
(Pt,
78)
(Pb,
82)
q
Z
q
Z
= <
=
хотя
плотность электронов на платине боль-
ше чем в свинце. Это свидетельствует о
том, что рассеяние происходит в основ-
ном на атомных ядрах, а не на электро-
нах оболочек атомов.
На рис. 70 схематически изображено обратное рассеяние β-частиц при
разных толщинах рассеивателя. Следует отметить, что обратное рассеивания
бета-частиц в отличие от оптического отражения происходит не только на
поверхности рассеивателя, но и на его глубине.
На схеме действительная картина обратного рассеяния сильно упрощена: по-
казано рассеяние на один и тот же угол и не учтено поглощение бета-частиц
веществом. При небольшой толщине рассеивателя (
H
d d
<
), большинство
электронов проходит сквозь вещество, и лишь небольшое их число рассеива-
ется в обратном направлении. По мере увеличения толщины число обратно
рассеянных электронов увеличивается. Наконец, при
H
d d
=
частицы, глубоко
проникшие в рассеиватель, уже не выйдут наружу из-за поглощения в нем.
При дальнейшем увеличении толщины рассеивателя число вышедших из не-
го обратно рассеянных электронов остается постоянным.
Экспериментальная часть
Работа производится на установке, схематически изображенной на ри-
сунке 71. Источник
1 испускает бета-частицы. В специальном устрой-
стве 2 – контейнере для фольг - помещается поглотитель (3). Бета-частицы
рассеиваются и поглощаются фольгами, и регистрируются детектором. С вы-
хода детектора импульсы поступают на вход пересчетного прибора (4). Пере-
счетный прибор служит для счета числа импульсов за некоторый промежу-
ток времени. Для снижения фона источник и детектор помещают в свинцо-
вую защиту (5). Отражателями в данной лабораторной работе являются пла-
стины, состоящие из алюминия, железа, меди, свинца и определяемого мате-
риала. Для выполнения задания 2 используются несколько алюминиевых
пластин различной толщины. В данной лабораторной работе проводят непо-
средственное измерение числа отраженных частиц. При этом функциональ-
ные зависимости числа отраженных частиц от атомного номера и толщины
Рис. 70
Рис. 69
