Стр. 171 - Строение атома и химическая связь

СТРОЕНИЕ АТОМА И ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
169
При этом независимо от значения параметра расщепления первые три электро-
на занимают квантовые ячейки dε-подуровня:
Если число электронов на d-подуровне комплексообразователя больше
трех, для размещения их по расщепленным подуровням появляется две воз-
можности. При низком значении параметра расщепления (слабое поле ли-
гандов) электроны преодолевают энергетический барьер, разделяющий dε- и dy-
орбитали и четвертый, а затем и пятый электроны заселяют квантовые ячейки
dy-подуровня.
Отметим, что спаривание электронов на нижнем dε-уровне сопряжено с
затратой энергии на преодоление сил отталкивания между ними и возможно
лишь тогда, когда разность между энергиями упрочнения и ослабления связи
∆Есв превосходит энергию образования электронных пар Р.
Поэтому при слабом поле лигандов ∆Есв < Р заселяющие квантовые ячей-
ки 4 или 5 электронов имеют параллельные спины, а сам комплекс оказывается
парамагнитным.
Шестой, седьмой и восьмой электроны в случае слабого поля оказывают-
ся снова на dε-подуровне, дополняя конфигурации до электронных пар (одной
в случае d6 , двух – d7 и трех – d8 ):
Комплексы с таким же числом неспаренных электронов, как и у свобод-
ного иона, называются высокоспиновыми и парамагнитными , например, ком-
плекс [FeF6 ]4-, имеющий электронную конфигурацию d6 .
2. Второй способ характерен для образования связи комплексообразова-
теля с сильными лигандами, когда имеет место неравенство (∆Есв > Р
или ∆ > Р). В этом случае заселение четвертым и пятым электроном dy-
подуровня возможно только после полного заполнения dε-орбиталей спарен-
ными электронами.