М а т е р и а л ы X I I В с е р о с с и й с к о й н а у ч н о - п р а к т и ч е с к о й к о н ф е р е н ц и и
П о с в я щ а е т с я 8 5 - л е т и ю в ы с ш е г о п е д а г о г и ч е с к о г о о б р а з о в а н и я в А р з а м а с е и
8 0 - л е т и ю п р о ф е с с о р а В я ч е с л а в а П а в л о в и ч а П у ч к о в а
417
таких, как магнитометр или модуль электроники волоконно-оптического
гироскопа.
Данное исследование будет опираться на результаты отработки
схемотехнических решений в составе реальных устройств, и последующего
моделирования в среде PROTEUS, так как в рамках модели сложно оценить
возможные сдвиги фаз управляющих сигналов ключей, шумы в выходных
сигналах, влияние помех и иных факторов(наведенное магнитное поле в случае
использования данных схемотехнических решений в магнитометре).
Нами рассмотрены два схемотехнических решения, приведенные ниже. В
обоих решениях используется одна и та же микросхема 590КН4, которая
представляет собой 4 канальный аналоговый ключ. Его особенностью является
то, что в одном корпусе располагаются две независимые переключающие пары
контактов (рис.4)
Рис.4. Эквивалентная электрическая схема 590КН4
Использование данной микросхемы обусловлено тем, что она достаточно
универсальна и может применяться во многих устройствах. Параметры 590КН4
приведены в таблице.
Электрические параметры микросхемы 590КН4
Параметры
Условия
590КН4 Единицы
измерения
Ток утечки аналогового
входа
Напряжение питания Uп1 от 13,5 до
16,5 В, Uп2 от минус 16,5 до
минус 13,5 В, управляющее
напряжение низкого уровня от 0 до
0,8 В,
управляющее напряжение высокого
уровня от 4 В до Uп1,
коммутируемое напряжение от
минус 15 до 15 В. Управляющее
напряжение высокого уровня
70
нА
Ток утечки аналогового
выхода
70
нА
Входной ток низкого уровня
управляющего напряжения
0,2
мкА
Входной ток высокого
уровня
управляющего напряжения
0,2
мкА