74
электронов особенно существенно в веществе с большим
z
. В этом случае ин-
тенсивность моноэнергетического пучка электронов почти экспоненциально
спадает при увеличении толщины слоя. В легких веществах влияние рассея-
ния меньше, но все же и здесь оно играет существенную роль.
При описании процессов взаимодействия электронов с веществом вво-
дятся понятия практического пробега
R
и толщины слоя половинного по-
глощения
D
. Обычно эти характеристики определяются экспериментально
по кривым поглощения электронов в веществе.
Практический пробег
R
и толщина слоя половинного поглощения за-
висят от энергии электронов, но теоретический расчет этих зависимостей
очень сложен, и поэтому обычно используются эмпирические соотноше-
ния. Так, зависимость, устанавливающая связь практического пробега
электрона
R
(г/см
2
) с его энергией
Е
(МэВ), описывается формулами
730
921
.
R .
E
⋅
=
; 0.02 г/см
2
<
R
<0.3 г/см
2
;
(7)
245 0
851
.
R .
E
+ ⋅
=
;
R
>>0.3 г/см
2
.
Эмпирические же формулы для связи толщины слоя половинного по-
глощения
D
(г/см
2
) с энергией
Е
(МэВ) имеют вид
661
055 0
.
E .
D
⋅
=
; 0.15≤
Е
≤0.7 МэВ;
(8)
471
053 0
.
E .
D
⋅
=
; 0.7 ≤
Е
≤ 2.5 МэВ.
Приведенные формулы установлены для поглощения электронов в
алюминии, но ими можно пользоваться и для других веществ, так как про-
бег, выраженный в г/см
2
, практически одинаков для всех легких поглотите-
лей.
В данной работе формулы (7) и (8) используются для вычисления
верхней границы β–спектра
Е
max
по определенным из кривой поглощения
значениям
R
и
D
.
Описание лабораторной установки
Требуемое опытом размещение источника, поглотителя и β–счетчика
(«геометрия» опыта) осуществляется в работе с помощью свинцового бло-
ка, специально приспособленного для снятия
кривой поглощения. На верхней поверхности
этого блока (рис. 49), непосредственно над
вертикальным каналом, помещается иссле-
дуемый радиоактивный препарат
1
в нижней
части канала располагается счетчик β – час-
тиц
2
между исследуемым препаратом и
счетчиком в свинцовом блоке имеется специ-
альный паз
3
, в котором могут размещаться
Рис. 49
