Стр. 61 - Теплогидродинамические процессы генерации пара в ЯЭУ
Упрощенная HTML-версия
ТЕПЛОГИДРОДИНАМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ГЕНЕРАЦИИ ПАРА В ЯЭУ
61
Рис. 17.2
Рис. 17.3
Методика, использующая прямое пропускание электрического тока через
стержень (трубку) с известными размерами, менее трудоемка. В этом случае
аргументом экспериментов служит задаваемая регулируемым источником
питания (РИП) величина плотности теплового потока:
q
S
=
I
∆
U
/π
d,
(17.6)
где
I
и ∆
U –
сила тока и падение напряжения опытного участка. Температура
наружной поверхности -
T
ст
вычисляется по величине омического
сопротивления участка:
R
ом
=∆
U
/
I
=4ρ(
T
ст
)
L/
π
d
2
и известной температурной зависимости удельного сопротивления ρ(
T
ст
)
материала трубки.
q
s
min
qs
max
lg
qs
lg∆
T
q
s
min
q
S
max
1
2 3 4
lg
q
S
lg∆
T
Рис. 17.4
Рис. 17.5
Рис. 17.4 представляет кривую кипения, полученную по схеме рис. 17.2. В
режиме развитого пузырькового кипения 1 увеличение температурного напора
∆
T
сопровождается ростом плотности теплового потока до определенной
максимальной величины
q
S
max
. Начиная с определенного значения ∆
T
=∆
T
max
из-
