6.4 Рентгеноспектральный АНАЛИЗ В МИКРООБЪЕМАХ
В последние годы все большее распространение получает
рентеноспектральное изучение распределения химического элемента вдоль
поверхности образца.
Рис. 27 - Схема установки для рентгеноспектрального анализа (И. Б.
Боровский и Н. Ильин)
Схема применяющегося для этого прибора приведена на рис. 27 Пучок
электронов от электронной пушки /, ускоренных при разности потенциалов в 50
кв, фокусируется магнитными линзами 2 так, что на поверхности анода-образца
3 освещается поверхность 2—6 мк2 (при 50 кв электроньи проникают внутрь
образца на 1—5 мк). Шлиф можно перемещать и любой его участок подводить
под электронный зонд. Освещенный участок испускает рентгеновы лучи,
которые после разложения в спектр изогнутым кристаллом 5 (на прохождение)
регистрируются счетчиком 4 рентгеновских квантов с присоединенной к нему
измерительной системой. Перемещая при неподвижном образце кристалл и
счетчик, можно проанализировать определенный участок шлифа. Установив
кристалл и счетчик . на спектральную линию одного какого-либо элемента,
можно перемещая шлиф, изучить распределение этого элемента по поверхности
образца (либо в отдельных точках той поверхности, либо, используя
автоматическую регистрацию квантов, и непрерывно перемещая шлиф, по всей
его поверхности). Для количественных измерений необходимо, очевидно,
применить один из описанных выше приемов количественного
рентгеноспектрального анализа, связанных с использованием эталонов.
Рентгеноанализ в микрообъемах чрезвычайно полезен при изучении
химической неоднородности в сплавах (связанной с дендритной ликвацией,
внутренней адсорбцией, неполным спеканием двухкомпонентных и
многокомпонентных и т. д.), а также при исследовании диффузионных явлений и
т. д.
74
