М а т е р и а л ы X I I В с е р о с с и й с к о й н а у ч н о - п р а к т и ч е с к о й к о н ф е р е н ц и и
П о с в я щ а е т с я 8 5 - л е т и ю в ы с ш е г о п е д а г о г и ч е с к о г о о б р а з о в а н и я в А р з а м а с е и
8 0 - л е т и ю п р о ф е с с о р а В я ч е с л а в а П а в л о в и ч а П у ч к о в а
369
Рис. 1. Структура фильтра
При этом учтем, что микрополосковые элементы представляют собой
проводники на слое диэлектрика, расположенные с одной его стороны, а другая
сторона имеет сплошную металлизацию. Толщина диэлектрика и
диэлектрическая проницаемость являются исходными данными, необходимыми
для расчета волнового сопротивления линий.
Схема с микрополосковыми элементами должна содержать специальный
элемент, электрически не связанный с другими элементами схемы, т.е.
подложку с заданными параметрами.
Рис. 2. Модель первого каскада
В модели первого каскада Z9_1 под «ID=TL1…» обозначены элементы
линии, частично заполненные диэлектриком, «MLIN»и «MTEE» -
микрополосковые элементы линейной и Т-образной формы соответственно,
которые играют роль активных сопротивлений. Для определения структуры
микрополоскового элемента в программе используется структура «MSUB» с
настраиваемыми геометрическими и диэлектрическими параметрами.
Параметры «Н», «Т», «W»и «L» характеризуют геометрические размеры
(высота, толщина, ширина и длина соответственно) элементов в мм.
На графике (Рис. 4) представлены коэффициенты рассеивания (DB) и
коэффициент стоячей волны по напряжению (VSWR), где обозначено: Z9_1 –
первый каскад, Z9 – фильтр, Z9_1tp – топология первого каскада.
Как видно из графика, коэффициент рассеивания модели и топологии
несколько отличаются.
