поворотной осью второго порядка. Для тех кристаллических классов,
которые обладают центром инверсии, можно по виду электронограммы
установить направление, перпендикулярное плоскости обратной решетки.
При любой ориентации мозаичного кристалла, не соответствующей какой-
либо оси симметрии, в расположении рефлексов будет симметрия оси
второго порядка С
2
[11].
Плоскость обратной решетки
HKL
соответствует отражениям зоны
[uvw],
индексы оси которой определяются уравнением зональности:
Hu + Kv + Lw = 0
(7.13)
Индексы [
uvw
] по определению оси зоны являются индексами
направления в кристалле, параллельного первичному пучку электронов. Если
ось зоны занимает частное положение, т. е. ее индексы не имеют степеней
свободы, то ориентировка этим определяется однозначно. Если ось зоны
занимает общее положение, то необходимо проиндицировать
электронограмму и установить индексы оси.
Для индицирования всех точек электронограммы достаточно задать два
направления. Тогда индексы точек вдоль каждого из этих направлений
определяются как HKL, 2(HKL), 3(HKL), 4(HKL)...
Если заданы индексы двух узловых прямых, то, пользуясь ими как
координатными осями, можно определить индексы любого узла (рис.32)
Рис.32 Индицирование точечных электронограмм по заданным
индексам двух направлений (или по координатам двух узлов, не лежащих на
одном направлении):
а—
координатная плоскость обратной решетки;
б—
некоординатная
плоскость обратной решетки
Следует помнить, что в плоскости обратной решетки могут
располагаться лишь такие узлы, индексы которых
(HKL)
содержат только две
независимые переменные. В случае, если плоскость является координатной,
91
