ЗАРЯДНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
СИСТЕМ ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ
– параметры охладителя: теплоемкость –
град
кДж 4,1
=
h
C
; тепловое со-
противление в направлении теплопередачи –
Вт
град 042 ,0
=
h
R
;
– масштаб времени
3
мод р
10
=
=
t t
m
t
( ,
– реальное и модельное
время).
р
t
мод
t
Рис. 5.23. Диаграммы нагрева
IGBT
Из кривых рис. 5.23 следует, что при включении ЗП перегрев структуры
IGBT
в данных условиях быстро возрастает до значения, близкого к максималь-
ному, за время (в реальном масштабе), не превышающее
0,2...0,3 с.
При одинаковой величине среднего значения зарядной мощности и ко-
эффициента
максимальная величина перегрева структуры
IGBT
в ЗП с
разделительным конденсатором на (45…47)°С ниже, чем в ЗП без этого
конденсатора.
9,0
и
=
k
131